可持續項目成果顯著,進一步堅定促進創新與社會發展的承諾

中國上海,2021?年 5 月 7 日 —?內存和存儲解決方案領先供應商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日發布《快步前行：美光 2021 年可持續發展報告》(Fast Forward: Micron’s 2021 Sustainability Report),凸顯美光在特殊時期不但體現出企業韌性,更在促進創新、人、社區和制造等方面取得長足進展。

新冠疫情期間,美光繼續推進各項可持續發展項目,其中包含部分前期投資,以達到 2028 年前投資約 10 億美元 (折合約 65 億元人民幣) 用于環境保護的目標。這些環保項目包括:公司至 2030 年于全球范圍內將溫室氣體 (GHG) 的排放量在 2018 年的基礎上減少 75%,并實現75% 的廢水再利用和95%的廢棄物轉移。美光還計劃于2025 年底前在美國的所有制造工廠 100% 采用可再生能源。美光將2020年用以生產單塊芯片的溫室氣體排放量在 2018 年的基礎上減少了 36%,并將物料和廢棄物的再利用和回收比率提升至 84%,較上一年提高了 3個百分點。

美光在多元、平等和包容舉措方面也取得積極進展。公司已在全球范圍實現弱勢群體全面薪酬平等,涵蓋基本工資、獎金和股票獎勵等。為支持弱勢社區的發展,美光投入超過 2.5 億美元的現金和現金等價物,由弱勢群體擁有的金融公司進行管理。此外,美光還增加了董事會中的女性成員席位。截至 2021 年 2 月,美光董事會的女性成員比例達到 50%。美光員工資源團體 (Employee Resource Group,ERG) 成員人數在2020年增長了 84%。這些ERG 組織是由美光員工主導的志愿者團體,關注有相同身份認知或經驗的員工及其盟友,極大促進了美光內部及其員工所在社區實現包容發展。

美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra 表示:“可持續發展是美光業務模式的基石,為此我們承諾將投入 10 億美元 (約65 億元人民幣),并采用科學方法密切關注進展情況。我們在2020年向可持續發展目標邁近了一大步。美光克服了疫情帶來的不確定性,在節能指標上取得了三倍的年增長,更加接近溫室氣體減排目標,并且實現了全面薪酬平等,這是我們實現全員包容目標的關鍵一步?！?/p>

美光在積極改善社區方面實現了新里程碑。美光基金會 (Micron Foundation) 在2020 自然年向多個慈善組織捐助近 2,400 萬美元,其中包含一項 1,000 萬美元的新冠肺炎抗疫基金。美光團隊成員的配捐金額也增長了四倍,通過全球科學、技術、工程和數學 (STEM) 支持項目,全年受益的學生和教育工作者超過 65 萬人。

加速可持續發展,增強技術領導力

美光有史以來首次實現在 DRAM 和 NAND 兩大技術領域同時占據領先地位。美光 1α DRAM 技術將內存密度提升 40%,可為移動行業提供最低功耗的 DRAM 平臺,實現了 15% 的節能?1。美光 176 層 3D NAND 閃存將數據讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上,并將數據傳輸速率提升 33%?2。兩項技術合璧,為構建更新穎、更高效的設備體驗和創新基礎架構奠定了數據基礎,適用于數據中心和智能邊緣等各類應用場景。

此外,美光最近還推出了車用 LPDDR5 內存,能效提升 20% 以上3。該款低能耗 DRAM 助力實現智能汽車的高性能計算,同時大幅降低能耗,從而減少交通運輸行業的溫室氣體排放。美光還于去年 9 月推出突破性的 GDDR6X 顯存,實現了比前代產品更低的單任務功耗 (pJ/bit),因此更適合高能耗、高帶寬需求的應用。GDDR6X 還能靈活調節功耗,用戶可調低性能以節省能耗。

深受業界認可

美光的可持續發展深受業界認可,其中包括被列入道瓊斯可持續發展北美指數 (North America Dow Jones Sustainability Index);所有生產設施獲得責任商業聯盟 (Responsible Business Alliance) 白金級認證;并于2018-2020連續三年獲得大中華區最佳職場 (Great Place to Work) 獎項 。根據 ?2021 年 3 月Sustainalytics 環境、社會和治理的評分,美光名列半導體行業前 10%。美光還被列入?2019-2020 年“富時社會責任指數系列 (FTSE4Good Index Series)” (FTSE Russell,富時羅素)。

美光第六次年度可持續發展報告依據全球報告倡議組織 (GRI) 核心標準和可持續發展會計準則委員會(SASB) 半導體行業標準編寫。

參考資料:

1：與美光上一代 1z 制程移動設備 DRAM 相比。

2：與美光96層大容量浮動柵極NAND相比。如果與 128 層替換柵極 NAND 相比,美光 176 層 NAND 的讀寫延遲優化幅度均超過 25%。

3：與上一代 LPDDR4x 對比數據。

關于 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)

美光科技是創新內存和存儲解決方案的業界領導廠商,致力于通過改變世界使用信息的方式來豐富全人類生活。憑借對客戶、領先技術、卓越制造和運營的不懈關注,美光通過 Micron和 Crucial品牌提供 DRAM、NAND 和 NOR 等多個種類的高性能內存以及存儲產品組合。我們通過持續不斷的創新,賦能數據經濟發展,推動人工智能和 5G 應用的進步,從而為數據中心、智能邊緣、客戶端和移動應用提升用戶體驗帶來更大機遇。

? 2021 Micron Technology, Inc. 保留所有權利。信息、產品和/或規格如有變更,恕不另行通知。Micron、Micron 徽標和所有其他 Micron 商標均為 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)所屬商標。所有其他商標分別為其各自所有者所有。